河南奥菲达仪器设备有限公司
额定加热功率kW:5工作室尺寸mm:80×350额定工作温度℃:室温~1200支持定制:是市场范围:全国
管式炉是一种实验室设备,适用于金属,纳米,单晶硅,多晶硅,电池等的扩散焊接以及真空下的气体保护下,在真空或气氛状态下烧结各种新材料样品。采用国际技术,开发研制的节能环保电炉,管式炉有单管、双管、卧式、可开启式管式实验电炉。如要通各种气体也可以也可配备气体控制柜。
管式炉适用于工矿企业、大专院校,科研院所及实验室作真空或气氛状态下烧结各种新材料样品用。
PECVD系统 等离子体化学气相沉积系统
窗体底端
PECVD系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
本设备主要由管式加热炉体,真空系统,质子流量供气系统,射频等离子源,石英反应腔室等部件组成。
主要特点:
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
控温仪表 厦门宇电 AI系列仪表,模糊PID控制和自整定调节功能
30段可编程控制,控温精度±1℃
真空系统 极限真空度 若选配我司高真空系统,可达1.33*10-4Pa(空炉冷态)
炉管及尺寸 石英管,200*1000mm 石英管,200*1200mm 石英管,200*1500mm
高温下化学稳定性强,耐腐蚀,热膨胀系数较小,能承受骤冷骤热
隔热管堵 2只,氧化铝材质
真空法兰 Φ200,一套;硅胶密封圈,内径180*5.7mm,四只
真空压力表 -0.1至0.15MPa
安 全防护 **温报警、断偶提示、过流保护、漏电保护
当需要开启炉体观察物料或加速降温时,为保证使用人员的安 全,会自动切断电源
升级服务 控温仪表升级为欧陆仪表,控温精度可提升至±0.1℃
随机资料 使用说明书1份、保修证书1份
免费服务 免费送货(不含卸货);免费技术支持
质 保 期 12个月,易损件除外(如炉管、密封圈等)
是一种实验室设备,适用于金属,纳米,单晶硅,多晶硅,电池等的扩散焊接以及真空下的气体保护下,在真空或气氛状态下烧结各种新材料样品。采用国际技术,开发研制的节能环保电炉,管式炉有单管、双管、卧式、可开启式管式实验电炉。如要通各种气体也可以也可配备气体控制柜。
管式炉适用于工矿企业、大专院校,科研院所及实验室作真空或气氛状态下烧结各种新材料样品用。
管式炉的调节方式
调节方式为PID调节方式,输入方式为热电偶输入,输出为单相调压(三相调压)触发。在使用马弗炉之前需要设定程序,在使用马弗炉的过程中PX表示当前炉内温度,SV表示设定程序中当前温度。
我司对退火炉进行升级改造。此次升级时,炉衬侧壁依旧保留加热元件保护槽,所有锐角倒钝,增加了面积。也使保护槽立柱抗震能力加强。炉衬**部拼接方向由纵改横,连接台阶,使得**部保温更好。对退火炉进行升级改造为适应客户需求马弗炉的程序控温之前有客户询问SV既然是设定值为何我设定1500℃但是SV显示的并不是这个数值。本司使用的程序控温仪表SV数值由程序控制调节输出功率,实现客户需要的多段程序控温的目的。直至程序设定温度到达时SV显示终温度该。
管式电炉产品描述
1.1本款管式炉以硅碳棒、硅钼棒或者电阻丝为加热元件,温度一般在1200度以上采用刚玉管。(注:1200度以下也可使用)
1.2采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,
1.3炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
1.4采用技术,有单管、双管、卧式、可开启式、立式、单温区、双温区、三温区等多种管式炉型。
1.5具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高、温区多、可选配气氛、抽真空炉型等。